靶基距对基片上在靶宽度方向（载 方向）上的膜厚均匀性有很大影

响。图员猿鄄缘 给出了图员猿鄄源 所示的矩形靶结构在不同靶基距情况下，沿

载方向（即靶的宽度方向）膜厚的相对分布。从图中可以看出，当靶基距

较小，如 澡 越圆缘 皂皂 时，薄膜厚的位置大约在跑道上方，均匀性很差。

随着靶基距的增加，由于积分的效应，濮阳溅射磁控镀膜设备，基片上不同点的膜厚差值变小，

均匀性逐渐变好。

磁控靶边缘溅射率的可控性是磁控靶设计的重要因素。从靶的利用

率的角度来看，理想情况是在整个靶的范围有相同的刻蚀率。在通常情

况下，溅射磁控镀膜设备报价，需要通过改进靶的磁场设计，溅射磁控镀膜设备厂，如采用多磁极磁场系统或非平衡磁

场系统或其他方式，扩展靶的均匀溅射刻蚀区域（见图 员猿鄄员圆），加强靶

边缘的刻蚀率来减少所对应基片区域膜层沉积通量的下降率。有时为了

抵消强化靶边缘刻蚀所造成的整体靶材利用率的降低。

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