MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor，场效应管代换，IGFET），深圳场效应管，而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

   MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，场效应管工作，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide，SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride，SiON）做为氧化层之用。

结型场效应管（JFET）

1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。

电路符号中栅极的箭头

方向可理解为两个PN结的正向导电方向。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

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