3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，场效应管开关电路，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，场效应管代换，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，常用场效应管，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为首1选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process，SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，北京场效应管，如砷化镓（gallium arsenide，GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。

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