类型:标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为:结型场效应管,多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,场效应管原理,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出
掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。在耗尽模式的FET下,北京场效应管,漏和源可能被掺杂成不同类型至沟道。或者在提高模式下的FET,它们可能被掺杂成相似类型。场效应晶体管根据绝缘沟道和栅的不同方法而区分。FET的类型有:
DEPFET(Depleted FET)是一种在完全耗尽基底上制造,场效应管工作,同时用为一个感应器、放大器和记忆极的FET。它可以用作图像(光子)感应器。
绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管(MOS管)的分类:绝缘栅场效应管也有两种结构形式,场效应管开关电路,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管,简称MOS场效应管。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。