微电子领域靶材，在所有应用产业中，溅射靶材直销，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸 （3 0 0衄 口）的 硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅 片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和 细晶粒， 这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性 已被认为是影响薄膜沉 积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关 系极大，过去99.995 %（4 N5） 纯度的铜靶，或许能够满 足半导体厂商0.3 5pm 工艺的需求，但是却无法满足如今0.2 5um的工艺要求， 而未米的 0.18um }艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达 到5甚至 6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更 低的电阻率，能够满足！ 导体工艺在0 .25um 以下 的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与 有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导 致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡 层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50n m，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层 材料是不同的．需要研制新的靶材材料。