类型：标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 ，场效应管的作用， 电子 ， 空穴 ，金属，绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，场效应管功放，右方：主体。电压导致沟道形成的细节没有画出

掺杂FET（解释如下）的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。在耗尽模式的FET下，景德场效应管，漏和源可能被掺杂成不同类型至沟道。或者在提高模式下的FET，它们可能被掺杂成相似类型。场效应晶体管根据绝缘沟道和栅的不同方法而区分。FET的类型有：

DEPFET（Depleted FET）是一种在完全耗尽基底上制造，同时用为一个感应器、放大器和记忆极的FET。它可以用作图像（光子）感应器。

电阻法测好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，常用场效应管，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

中国命名法

有两种命名方法。

场效应管通常有下列两种命名方法。

第1种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效应管，第4部分用阿拉伯数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。

第2种命名方法与双极型三极管相同，第1位用数字代表电极数；第二位用字母代表极性（其中D是N沟道，C是P沟道）；第三位用字母代表类型（其中J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管）。例如，3DJ6D是N沟道结型场效应三极管，3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三极管。

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