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使用三极管时需要注意的问题；

需注意三极管内部的结电容的影响：由于半导体制造工艺的原因，三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在，当输入信号频率达到一定程度时，它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”，更糟糕的是，它还会因此引起额外的相位差。

由于Cbe的存在，输入信号源的内阻RS和XCbe形成了一个鲜为人知的分压器，也可以看成是一个LPF，当输入信号的频率过高时，三极管基极的电位就会有所下降，此时电压增益就随之减小。由于Cbc的存在，当输入信号的频率过高时，Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极，又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差，所以，这样也会降低基极的电位，电压增益也由此下降。

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三极管的主要参数；

（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，深圳优质SS8050三极管厂家直销，集电极输出电流的变化量△IC与基极输入电流的变化量△Ib之比，即；β= △IC/△Ib一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。

（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△IC与发射极电流的变化量△Ie之比，即：α=△IC/△Ie，因为△IC＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用α与β之间的关系：

（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα

（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是反映晶体管的高频放大性能的重要参数。

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