组成

FET由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。

大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，场效应管的作用，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，场效应管，常常用有机栅绝缘体和电极。。。。。。。。。。。。

测试方法：

结型场管脚识别

场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电场效应管极。

将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。

（6）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，场效应管功放，z大功率才能达到30W。

(7）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，场效应管生产厂家，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。

场效应管的作用,苏州硅能(在线咨询),场效应管由苏州硅能半导体科技股份有限公司提供。场效应管的作用,苏州硅能(在线咨询),场效应管是苏州硅能半导体科技股份有限公司（www.silikron.com）今年全新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取新的信息，联系人：夏经理。