MOSFET：

金属-氧化物半导体场效应晶体管，场效应管符号，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，场效应管原理，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

绝缘栅场效应管

1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，场效应管功放，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，巴彦淖尔场效应管，它们又分为增强型和耗尽型两种。

2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

   MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor，IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

   MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide，SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride，SiON）做为氧化层之用。

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