极限参数
①z大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值,
②z大耗散功率是指在管子中的功率,受到管子z高工作温度的限制,
③z大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压,
④z大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。
除以上参数外,还有极间电容、高频参数等其他参数。
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。
场效应管与双极性晶体管的比较
场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,场效应管的作用,在信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。
场效应管是多子导电,而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感,因此,场效应管开关电路,对于环境变化较大的场合,采用场效应管比较合适。
场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外,还可作压控可变线性电阻使用。
场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此,使用场效应管比晶体管灵活。
测量方法:
电阻法测电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,场效应管,可以判别出结型场效应管的三个