UV光氧催化设备之光催化氧化技术原理

当能量高于半导体禁带宽度的光子照射半导体时，济南UV光氧催化设备，半导体的价带电子发生带间跃迁，从价带跃迁到导带，从而产生带正电荷的光致空穴和带负电荷的光生电子。光致空穴的强氧化能力和光生电子的还原能力导致半导体光催化剂引发一系列光催化反应的发生。

半导体光催化氧化的羟基自由基反应机理，得到大多数学者的认同。即当TiO2等半导体粒子与水接触时，UV光氧催化设备哪家好，半导体表面产生高密度的羟基。

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