电阻法测好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，mosfet 场效应管，其电阻值是各不相同的），mosfet驱动器，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。

4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

　5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最1大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

　　6、PDSM—最1大耗散功率。也是一项极限参数，广东mosfet，是指场效应管性能不变坏时所允许的最1大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

　　7、IDSM—最1大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最1大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 。

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