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电压抑制能力：

ZnO压敏电阻器的电压抑制能力保护级别PL=V2/V1或残压比=Umax/U1mAo。V2为给定大电流下的电压，V1为给定漏电流下的电压，

Umax为冲击电流流过时加在压敏电阻器上的峰值电压。

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氧化锌压敏电阻的缺陷：

ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo，负一价和负二价的

VZn ，正一价的DZn。VZn主要在晶界处，VZn为受主态，使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒，约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态，是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。

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