传感器
总辐射传感器应牢固安装在专用的台柱上。台柱是用一根金属管或木桩，上部固定一块比总辐射表底部稍大的金属板或者木板构成。台柱离地面约1.5m，下部埋入地中要很牢固，长时间内不会出现下陷或变形现象，即使台柱受到严重冲击震动（如大风等），也不改变仪器的水平状态。安装时，先把总辐射表的白色挡板卸下，再将总辐射表安装在台上，使仪器接线柱方向朝北。用三个螺钉（用不生锈的材料）将仪器固定在台柱上，若台架为金属板则事先打好三个孔，用螺栓固定仪器。然后利用仪器上所附的水准器，传感器，调整底座上三个螺旋，使总辐射表的感应面处于水平状态，最后将白色挡板装上。仪器安装后，用导线与接线柱、记录仪连接（接线时，负压传感器，要注意正负极），有的接线柱有三根引出线，其中一根连接机体，用于连接电缆的屏蔽层，起到防干扰和防感应雷击的作用。

硅电容压力传感器是一种结构型传感器

压力传感器-硅电容压力传感器性能特征：

一、适合批量生产，成本低

硅电容压力传感器利用MEMS工艺制作，芯片尺寸为3mm×3mm，差压传感器，一个4寸硅片可制作几百个元件。产品的工艺性好，性能一致，适合批量生产，低成本运

行。其制备工艺与IC工艺兼容，工艺装备无须象硅谐振传感器的工艺装备那样昂贵和复杂，也无须象金属膜片电容传感器那样单件制作，保证了硅电容传感器具有

高的性能价格比。

二、稳定性好

硅电容压力传感器是一种结构型传感器，压力传感器就检测原理而言，其稳定性优于物性型传感器，从结构设计角度保证了该类传感器的稳定性；结构工艺采用全硬

封固态工艺，传感器原理，硅-玻璃-金属导压管采用静电封接，减少了用胶封等引起的应力、滞迟和变差；电容对温度不灵敏，温度附加误差小，不需象硅压阻器件那样进行复

杂的温度补偿。稳定性好是硅电容传感器深受用户好感的主要原因之一。

三、指标先进

电容传感器本身具有小功率、高阻抗、静电引力小、可动质量小、发热影响小的特点，并可进行非接触测量。硅电容传感器综合性能指标如非线性、过载、静压、可

靠性等性能优于硅压阻传感器、陶瓷电容传感器、金属膜片电容传感器。它与硅谐振传感器相当，特别是用户追求的非线性指标，通常硅电容传感器的非线性优于

0.05％FS的成品率大于60％。

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