可以的，原装ic货的引脚非常整齐且像一条直线，而翻新处理过的则有的脚不整齐且有些歪。凡光亮如“新”的镀锡引脚必为翻新货，正货IC的引脚绝大多数应是所谓“银粉脚”，色泽较暗但成色均匀，光线传感器 IC，表面不应有氧化痕迹或“助焊剂”，另外DIP等插件的引脚不应有擦花的痕迹，即使有（再次包装才会有）擦痕也应是整齐、同方向的且金属暴露处光洁无氧化。
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3GMR/超导复合式磁传感器
磁电阻效应是对于一些磁性材料，当施加外磁场时，材料的电阻会发生变化的效应。这种磁电阻效应次由William Thomson 于1857 年在铁样品中发现。这一发现的材料磁阻变化率很小，只有1%，此效应即被称为各向异性磁电阻(AMR)效应。
1988 年，Grunberg 和Baibich 等人通过分子束外延的方法制备了Fe/Cr 多层膜，ic读卡器里的传感器，并在其中发现了磁阻变化率达到50%以上。这种巨大的磁电阻变化效应被称为巨磁电阻(GMR)效应。GMR效应来源于载流电子在不同的自旋状态下与磁场的作用不同导致的电阻变化。GMR由铁磁—非磁性金属—铁磁多层膜交叠组成。两层铁磁层的矫顽力不同。当铁磁层的磁矩互相平行时，载流子与自旋有关的散射，材料具有的电阻。而当铁磁层的磁矩为反平行时，载流子与自旋相关的散射强，材料的电阻。对于GMR效应可以由Mott 提出的双电流模型解释。在非磁性层中，不同自旋的电子能带相同，但是在铁磁金属中，不同自旋的能带发生劈裂，导致在费米能级处，自旋向上和向下的电子态密度不同。
在双电流模型中，假设自旋向上和向下的电子沿层面流动对应两个互相独立的导电通道，其中自旋向上的电子，其平均自由程远大于自旋向下的电子。在铁磁层磁矩反平行排列下，压力传感器ic，自旋向上和自旋向下的电子散射概率相同；而在平行排列下，自旋向上的电子散射要远小于自旋向下的电子，从而造成平行和反平行排列下电阻的差别。
IC 传感器可在-55°C至 150°C的温度范围内工作 -- 精选的几种IC传感器工作温度可高达 200°C。有各种类型的集成式IC传感器，不过四种常见的集成式IC传感器当属模拟输出器件、数字接口器件、远 程温度传感器以及那些具有温控器功能的集成式IC传感器(温度开关)。模拟输出器件(一般是电压输出，但有些也具有电流输出)在其需要ADC来对输出信号 进行数字化处理时像无源解决方案。数字接口器件常使用两线接口(I2C或PMBus)，并具有内置的ADC。
除了也包括一个局部温度传感器外，远程温度传感器还具有一路或多路输入以便监测远程二极管温度 -- 它们常被置于高度集成的数字IC(例如，处理器或现场可编程门阵列【FPGA】)中。当达到温度阈值时，南山传感器ic，温控器可提供简单的警报。
使用IC传感器有许多好处，包括:功耗低;可提供小型封装产品(有些尺寸小到0.8mm×0.8mm);还可在某些应用中实现低器件成本。此外，由于IC传 感器在生产测试过程中都经过校准，因此没有必要进一步校准。它们通常用于健身跟踪应用、可佩戴式产品、计算系统、数据记录器和汽车应用。
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