等离子体化学气相沉积原理及特点

原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，基体浸没在等离子体中或放置在等离子体下方，吸附在基体表面的反应粒子受高能电子轰击，结合键断裂成为活性粒子，化学反应生成固态膜。沉积时，基体可加热，亦可不加热。工艺过程包括气体放电、等离子体输运，气态物质激发及化学反应等。主要工艺参数有：放电功率、基体温度、反应压力及源气体成分。主要特点是可显著降低反应温度，已用于多种薄膜材料的制备。

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物理气相沉积和化学气相沉积的区别

化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。

物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。

物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，气相化学沉积设备价格，成膜均匀致密，与基体的结合力强。

化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜，又可按要求制造多成分的合金膜，成膜速度快，膜的绕射性好

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化学气相沉积技术在材料制备中的使用

化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜：

化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。在当代，气相化学沉积设备厂家，微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料，这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外，气相化学沉积设备，也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料，例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。

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