等离子体增强化学气相沉积的主要过程
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等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,气相化学沉积设备哪家好,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来,采用PECVD技术制备薄膜材料时,薄膜的生长主要包含以下三个基本过程:
首先,在非平衡等离子体中,电子与反应气体发生初级反应,使得反应气体发生分解,形成离子和活性基团的混合物;
其二,各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运,同时发生各反应物之间的次级反应;
然后,到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应,同时伴随有气相分子物的再放出。
化学气相沉积的分类
化学气相沉积的方法很多,气相化学沉积设备报价,如常压化学气相沉积(Atmospheric pressure CVD,APCVD)、低压化学气相沉积(Low pressure CVD,LPCVD)、超高真空化学气相沉积(Ultrahigh vacuum CVD,UHVCVD)、激光化学气相沉积(Laser CVD,LCVD)、金属有机物化学气相沉积(Metal-organic CVD,MOCVD),气相化学沉积设备,等离子体增强化学气相沉积(Plasma enhanced CVD,气相化学沉积设备多少钱,PECVD)等。
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化学气相沉积法在金属材料方面的使用
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化学气相沉积法生产金属铱高温涂层从20世纪80年代起,NASA 开始尝试使用金属有机化合物化学气相沉积法制取出使用铼基铱作为涂层的复合喷管,并获得了成功,这时化学气相沉积法在生产金属涂层领域才有了一定程度上的突破。
NASA 使用了C15H21IrO6作为制取铱涂层的材料,并利用 C15H21IrO6的热分解反应进行沉积。铱的沉积速度很快,可以达到3~20μm/h。 沉积厚度也达到了50μm,C15H21IrO6的制取效率达 70%以上。