石英晶体谐振器的主要参数

晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标明在晶振外壳上。如常用普通晶振标称频率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，对于特殊要求的晶振频率可达到1000 MHz以上，也有不具标称频率的，如CRB 、ZTB、Ja等系列。负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定谐振器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体谐振器有两个谐振频率，北京无源晶体厂家，一个是串联谐振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联谐振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。频率精度和频率稳定：由于普通晶振的性能基本性能达到一般电器的要求，对于设备还需要有一定的频率精度和频率稳定性。频率精度从量级到量级不等。稳定度从±1到±100ppm不等。这要根据具体的设备需要而选择合适的晶振，如通信网络，微处理器无源晶体厂家，无线资料传输等系统就需要更高要求的石英晶体谐振器。因此，晶振的参数决定了晶振的品质和性能。

直插晶体谐振器(DIP)

晶体谐振器（DIP）也叫直插无源晶振，需要用数字信号处理DSP片内的振荡器；无源晶振没有电压的，信号电平是可变的，替代进口无源晶体厂家，也就是说是根据起振电路来决定的。同样的晶体可以适用于多种电压，可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP，而且价格通常也较低。无源晶振通常需要准确匹配外围电路（用于信号匹配的电容、电感、电阻等），更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。

晶体谐振器的激励电平

激励电平。一般取70 -100uA 为佳，用激励功率表示时，一般取1 -100uW 为佳。激励电平的大小直接影响石英谐振器的性能，所以电路设计者一定要严格控制石英谐振器在规定的激励电平下工作，以便充分发挥石英谐振器的特点。一般来讲，激励电平偏小对于长稳有利，激励电平稍大对于短稳有利。但是激励电平太大，石英片振动强，振动区域温度升高，石英片内产生温度梯度，会使频率稳定度降低;激励电平过大，由于机械形变超过弹性限度而引起长期的晶格位移，使频率产生长期性的变化，甚至有时会把石英片振坏;激励电平过大，会使等效电阻增加，Q 值下降，电阻温度特性和频率温度特性变得不规则;激励电平过大，容易激起寄生振动，同时还会使老化变大。当然，国军标无源晶体厂家，激励电平过低也会使信噪比变小而影响短期稳定度，激励电平太低，谐振器不易起振，影响工作的稳定和可靠性。所以谐振器使用应根据不同的要求严格控制激励电平，更不能为了增大输出而随意提高激励电平。

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