电子束熔炼ｃ太ｍ能级＃；杂质 １、介绍目前＾阳能缵多晶硅的制鲁仍Ｕ改良西门于和硅烷注为主要的制备技术，担其存在能耗 高、污染重等问题．新技展起来的冶金法是种能耗低、污染小的太阳能级多晶硅的制各Ｔ 艺．该方法虽然产品质晕不如改良西门予洼以及酵烷注，但足以满足太田能级多晶酵的要求【“。存冶盘注制备太阳能级多晶硅的过程中金属元票可以垣过多饮定向凝固去除，但对非金属元 紊Ｐ无注有效土除，本文采用自行设订的电于束熔炼炉对上业硅进行提纯。探讨电子柬熔炼列硅中杂质的上除效果。
    ２、实验方法
    在进行实验之前粟用丙酮清洗实验用坩埚．然后用硅料进行熔炼清洗后进行宴验．实验的参数如表１所示。表Ｊ电子束熔炼试粤盆参数 熔炼时问ＴＩ（Ｔ２＜Ｉ＂３ 熔炼功事（ＫＷ） 熔炼窜真卒度（Ｐａ） 电于枪真空度（Ｐａ）
    ３０ｋｗ ３－５×１０
    ３
    １．３×１００
    实验完成后待硅料在坩埚中完全冷却后，打开设备开启门，取出宴验后硅链，其外观照Ｈ如图Ｉ所示。图Ｉ中左图为电亍束熔炼后表面，右图为电予束熔炼底部。
    ９口
    囝Ｉ电子柬熔炼后硅锭照片
    ３、实验结果及讨论
    ＊＃－寅§｛１Ⅱ－教授，｛?要Ｍ事｝＆ｎ提＆方面＊Ｒ，Ｆ，ｍａｉｌ…Ⅵ１０４ｈｏｌｍａｉｌ∞ｍ
    张家港２００９．１０．２３．２６第三届中国储能与动力电池及其关键材料学术研讨与技术交流会
    采用相同的熔炼功率，不同的熔炼时间对硅料进行熔炼，研究熔炼时间对杂质元素去除效果的影响。实验过程中分别采用熔炼时间为Ｔｌ、１２、Ｂ，通过观察窗看到硅料全部融化 时开始计时。对实验结果进行检测分析，结果如图２所示。
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    ａ）熔炼时间对ＡＩ、Ｃａ影响 图２熔炼时间对杂质去除效果的影响
    ｂ）熔炼时间对Ｐ影响
    图２（ａ）为杂质元素ＡＩ、Ｃａ随时间变化的影响，由图中可以看出随熔炼时间的增加，去除效果越好。图２（ｂ）为杂质元素Ｐ随熔炼时间的变化规律，由图中可以看出Ｐ含量随熔炼时间
    的增加几乎呈线性减少。以Ａ１为例，蒸发速度：吼，＝４．３７ｘ１０－３ ｘ巴，
    式中只，为熔硅中磷的偏压，由于Ｓｉ中ＡＩ的含量很低，可以近似认为是无限稀溶液，在
    其蒸发过程满足亨利定律，可以得到其蒸发率与温度的关系翻，
    ｃ＿．ｏ。ｔ＝４．３７ｘ１０－３×已悸ｂｑ
    其中口为凝聚系数，ｙ。活度系数，Ｃ为其组元的浓度，对于硅中杂质ＡＩ无限稀溶液凝聚系数口通常取１，ｙ。是关于温度Ｔ的函数，
    ｌｇｙ；，（，）螂＝一丁１５７０＋ｏ．２３６。带入可得硅的
    蒸发速度。可见在温度一定的情况下，蒸发速度是定值，熔炼时间越长，对去除效果越好，与实验相符合。
    ４实验结论
    （１）电子束熔炼对硅中的杂质都去除效果，对Ｐ、Ａ１、Ｃａ效果明显，通过适当的工艺可将Ｐ元素降低至ｌｐｐｍ以下： （２）在相同温度下，杂质的蒸发系数是常数，增加熔炼时间有利于杂质元素的去除。 参考文献： 【ｌ】杨金焕，邹乾林，谈蓓月等．各国光伏路线图与光伏发电的进展．光伏与工程，２００７：５１—５４．
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    电子束熔炼时间对多晶硅杂质去除效果研究
    作者： 作者单位： 谭毅， 姜大川， 徐云飞，董伟， 王强， 彭旭 大连理工大学材料学院,大连,116023
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