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关键字:硅磨片清洗剂;半导体工业用清洗剂;可清洗镜片的抗静电辐射洁净剂及其制备方法;

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         技术编号                             技术名称
(编号:CC1009215-0007-0001) 可清洗镜片的抗静电辐射洁净剂及其制备方法
[技术摘要] 可清洗镜片的抗静电辐射洁净剂及其制备方法,其特征是洁净剂按重量百分比的组成为:作为乳化剂的烷基酚聚氧乙烯醚OP-10或TX-10:2-10%、十二烷基**钠:0.5-5%、二甘醇:0.3-3%、季铵盐:0.002-0.3%、聚醚改性聚有机硅氧烷SF722或SF9090:0.001-3%、氯化钠:0.01-0.2%、异丙醇:2-15%、适量香精、余量为水。本发明洁净剂清洁效果好、不损伤镜片、具有防雾防静电功能、能广泛用于对包括**镜片、光学仪器、显示屏、仪器仪表外壳等在内的镜片进行清洗。

(编号:CC1009215-0005-0002) 低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
[技术摘要] 本发明公开了一种低蚀刻性光刻胶清洗剂,其特征是含有(a)季胺氢氧化物,(b)二**亚砜,(c)分子式如式I所示的烷基二醇芳基醚及其衍生物,(d)乙醇胺,(e)水,(f)缓蚀剂,式I中,R1

(编号:CC1009215-0015-0003) 低蚀刻性光刻胶清洗剂
[技术摘要] 本发明公开了一种低蚀刻性光刻胶清洗剂,其含有:苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和二**亚砜。本发明的清洗剂可用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物,且同时对于二氧化硅、铜等金属和低k材料等具有较低的蚀刻速率,在半导体晶片清洗等*电子领域具有良好的应用前景。

(编号:CC1009215-0017-0004) 硅片清洗剂及其制备方法
[技术摘要] 硅片清洗剂及其制备方法,涉及光伏产业、硅片生产技术领域。主要由由椰子油烷基醇酰胺磷酸酯、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚、焦磷酸钾、硼酸钠、氢氧化钾和水组成。本发明用少量的钾盐来代替钠盐增加其溶解度,并运用两种表面活性剂的复配,从而极大地提高其清洗性能。本发明不含任何有机溶剂,无任何*激性气味,工作液的pH值在9~11,并且清洗效率高,使用周期长,对硅片无**性等特点。本发明与传统的硅片清洗剂相比单位成本下降近60%。

(编号:CC1009215-0006-0005) 低蚀刻性光刻胶清洗剂
[技术摘要] 本发明公开了一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂,其特征在于含有:季胺氢氧化物,如式I所示的烷基二醇芳基醚或其衍生物,和如式II所示的苯乙酮或其衍生物;式I式II其中,R1

0
(编号:CC1009215-0016-0006) 厚膜光刻胶清洗剂
2
(编号:CC1009215-0012-0007) 单晶硅片水基清洗剂
8
(编号:CC1009215-0013-0008) 多晶硅片水基清洗剂
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(编号:CC1009215-0001-0009) 汽车空调机清洗剂
6
(编号:CC1009215-0011-0010) 太阳能硅晶片清洗剂
6
(编号:CC1009215-0002-0011) 半导体工业用清洗剂
9
(编号:CC1009215-0004-0012) 一种光刻胶清洗剂
2
(编号:CC1009215-0014-0013) 一种太阳能硅片清洗剂
3
(编号:CC1009215-0008-0014) 为了改进的焊剂清洗在外壳容器和小硅片之间有较大间隙的高压半导体装置壳体
3
(编号:CC1009215-0010-0015) 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法
1
(编号:CC1009215-0003-0016) 一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
6
(编号:CC1009215-0009-0017) 硅磨片清洗剂


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