CR-O910扩散硅压力变送器
 
工作原理
CRO910系列扩散硅压力传感器系全部采用进口芯片，经过精心的结构设计，信号处理和组装，并按照国家标准和企业标准，进行测试而生产出来的新一代测量元件。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特定晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化（一对变大一对变小）在激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器。
 
特点
※ 输出稳定灵敏度高
一般应变式传感器输出仅为10mv左右，而扩散硅传感器满量程输出为100mv左右，干扰及噪声等因素影响相对较小，放大电路成本也相应降低，分辨率大大提高。零压力附近无死区。
 
※ 精度高，重复性好
扩散硅压阻式压力传感器实现了压力受感，压力传递力一电转换由同一元件上实现，无中间转换环节，无压力滞后，无机械位移变形，保证了极小的重复性和迟滞误差，和良好的线性度，无蠕变、稳定、可靠、寿命长。
 
※ 良好的温度特性
由于采用了激光调阻，计算机补偿等先进技术和巧妙控制扩散浓度，实现满量程温度漂移（灵敏度温度系数）自补偿。克服了半导体晶片本身温度系数大的缺陷，使变送器的零位和满度温漂达到了较高的水准，拓宽了使用温区。
 
※ 适合于危险易爆的领域和场所应用
扩散硅压力传感器，变送器具有低电流，低电压，低功耗的特点，属于本质安全防爆型产品，并已取得了国家安全防爆机构颁发的防爆证书。
 
※ 高可靠性与抗干扰性能
产品由于采用了不锈钢材质与特殊防护结构，和放大电路的防雷击、抗干扰、抗过压、过流等一系列保护手段，提高了可靠的密封防腐和抗恶劣工作环境的能力，完全适合一般工业现场测量和控制的需要。
 
技术参数