碳化硅耐火材料具有很多优良性能，如在较宽的温度范围内的高强度、抗热震性好、优良的耐磨性能、高热导率、耐化学腐蚀性等。但碳化硅耐火材料的抗氧化能力差，易造成高温下体积膨大、变形等问题，从而降低其使用寿命。

碳化硅半导体材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 属W族化合物半导体。为共价键晶体，有闪锌矿型和铅锌矿 型两种结晶形式。密度.i . 2} I}m“二熔点283U}"-，本征电阻率 [L一0.7)i}wm},禁带宽度2.99一42.br}'。电子迁移率 3(10---9(1D}m'-I( V w )，介电常数9.72一10.32。采用艾奇逊 [Acheso耐法合成。硅过量时为n型半导体，碳过量时为p }1 半导体。