连创透明方管自动化生产率高，有12条自动化生产线，24小时不停机，交期准。与连创透明方管合作的客户众多，拥有完整、科学的质量管理体系。实际上，正是因为受到这种限制，光刻工艺和刻蚀工艺便成为了后摩尔时代芯片图形发展的两个重要技术。通过公式得知，光刻工艺技术受到NA、k1、λ几个参数影响，在制程节点32nm-45nm下产生了浸没工艺、10nm-16nm下使用多重曝光工艺、5nm-7nm则使用极紫外线（EUV）工艺。 但与此同时，EUV光刻也面临着光源、光刻胶和掩膜版三大挑战。掩模的整体产率约94.8%，但EUV掩模仅64.3%左右，EUV淹模比复杂光学掩模还贵三至八倍（40层到50层交替的硅和钼层组成）。连创透明方管生产电阻包装管、电容器包装管、电位器包装管、电子管包装管、散热器包装管、机电元件包装管、连接器包装等等；还支持来图来料定制，连创透明方管形状多样，模具多样，开模费用可双方商议，长期合作可免费开模。连创透明方管生严格按照ISO9001:2000标准生产。可丝印LOGO，也有做专业的除静电处理，避免电子元器件产品遭受静电破坏。除了上述的光刻技术，目前纳米压印、X光光刻、电子束直写作为先进光刻技术正在高速发展之中，但这些技术在3-5内仍然有发展空间，并不会马上成为主流技术。