SiC功率器件 碳化硅 MOSFET IV2Q12160T4Z 瞻芯电子授权代理。

第二代 SiC MOSFET 

技术： 高压、低导通电阻 高速、寄生电容小 175℃工作结温 高可靠快速恢复体二极管 通过 AEC-Q101 车规认证

应用：车载充电器 光伏升压器 车载压缩机逆变器 AC/DC电源

相关参数：

V_DS 漏源电压  1200V

R_ON 导通电阻  160mΩ

V_GSon 推荐使用的开通栅源电压   15 to 18 V

V_GSoff 推荐使用的关断栅源电压   -5 to -2 V

I_D 最 大漏源电流  19A (V_GS=20V, T_C=25°C )

T_J 工作结温范围  -55 to 175°C