可控硅应用的十条原则
一、为了导通闸流管(或双向可控硅)，必须有门极电流≥I                   ，直至负载电流达到≥I ，这条件必须满
                                            GT                  L
   足，并且按可能遇到的最低温度来考虑。
二、要断开(切换)可控硅负载电流，必须使其能回复至截止状态。
三、设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限( T2- , + )。
四、为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至T1(或阴极)。若用硬线，用螺旋双线
   或屏蔽线。门极和T1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选
   用H 系列低灵敏度双向可控硅。
五、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在T1和T2间加入RC 缓冲电路。若高dIcom/dt 可能引起问题，
   加入一个几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com 的双向可控硅。
六、假如双向可控硅的VDRM 在严重的/异常的电源瞬间过程中有可能被超出, 请采用下列措施之一:
    负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感，以限制dI /dt；
                                           T
    用MOV 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。
七、选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力。
八、若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，负载上最好串联一个几μH的无铁芯电感或负温度系数的热
   敏电阻。另一种解决办法是：对电阻性负载采用零电压导通。
九、将可控硅器件固定到散热器时，避免让可控硅受到压力。先固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯
   轴放在器件接口片一侧。
十、为了长期可靠的工作, 应保证Rth(j-a)足够低, 维持Tj不高于Tj(max.)其值相应于可能的最高环境温度。
                             网络实名: 中国可控硅
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