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制冷型光电探测器
特点：
自主封装
可封装InGaAs雪崩光电探测器也可封装SI雪崩光电探测器
带尾纤输出
应用：
传感
测量
测距
环境恶劣的工作场所
光电特性：
| 参 数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
| 响应光谱（nm）(InGaAs光电探测器) | 1000 | 1700 | ||
| 响应光谱（nm）(SI光电探测器) | 400 | 1100 | ||
| 响应度（A/W） | λ = 1300nm(InGaAs光电探测器) | 8 | ||
| λ = 850nm(SI光电探测器) | 60 | |||
| 工作电压（V） | InGaAs光电探测器 | 40 | 60 | |
| SI光电探测器 | 120 | 200 | ||
| TEC工作电压(V) | 3 | 5 | ||
| TEC工作电流(A) | 0 | 2 | ||
| 工作温度(℃) | -40 | 70 | ||
| 带宽(-3dB)(加了前置放大后) | 200MHZ | |||
| 封装形式 | 蝶形8PIN | |||
| 热敏电阻类型 | NTC10K/25℃ | |||
| 是否加前置放大 | 可选择 | |||
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